成电讲堂

　　12月19日，俄罗斯科学院无线电工程与电子学研究所Boris M. Garin教授为我校师生带来了题为“Ultralow Absorption in Silicon Carbide in the Millimeter-Wave Range”的学术报告。本次报告由物理电子学院段兆云教授主持。

　　首先，Boris M. Garin教授介绍了毫米波频段内低损耗材料在无线电工程与电子学领域中的重要性，并由此循序渐进地带领大家走入材料科学的世界。他介绍了低损耗材料在高功率电子器件方面的应用，例如在兆瓦级连续波回旋管、高品质因数谐振器中的应用等。

　　随后，他简单介绍了损耗正切角的测量方法。在许多低损耗材料中，其损耗正切角tanδ的较低理论极限值是由相应的理想晶体中的双声子吸收引起的本征晶格损耗（ILL）所确定的。理论上，对于具有非谐振、高声速、晶体结构高度对称或晶格热导率高的晶体，可以预测其损耗正切角的较低理论极限值。

　　Boris M. Garin教授向师生们介绍了一套用于毫米波领域其频段为50至80GHz的低电介质损耗材料的测量方法及相应设备。该设备是基于一个含有低半径曲率的球面镜的紧凑型开放式谐振腔。相对于该频段的其它现有的测量方法，这种测量方法对测量的低损耗样本的半径要求更低，同时样本厚度相对于波长而言可以为任意值，因而具备明显的优势。

　　此外，Boris M. Garin教授还介绍了他们所制备的一种新型的低吸收率、高纯度、半绝缘体单晶体碳化硅多型体材料6H-SiC。这种新型材料在69.4GHz及室温下测得的电介质损耗正切角为tanδ=6×10^-5，这是迄今为止在毫米波领域测得的碳化硅的最低损耗值。同时与其他低损耗材料如蓝宝石及石英单晶体相比，其测得的损耗更低。此外，该样本损耗仅仅高于化学气相沉积CVD的最低损耗，但是碳化硅的生长成本远低于后者，具有明显的成本优势。6H-SiC是一种在毫米波频段具有低吸收率、高纯度、低成本特性的半绝缘体材料，具备极为广阔的应用前景。

　　会后，在座师生们就低损耗材料的损耗正切角实验原理、6H-SiC的应用等问题与Boris M. Garin教授进行了广泛的交流。

　　本次讲座由人力资源部教师发展中心主办、物电学院承办。

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　　Boris M. Garin，1947年出生于俄罗斯伏尔加格勒，1974年在莫斯科物理与技术学院取得物理学与数学博士学位。1974年成为俄罗斯科学院的无线电工程和电子学研究所研究员。从1984年至今，主持了一系列研究各种材料在毫米波和太赫兹范围的介电和电磁特性的科研项目。从2006年开始任职领导研究员（Leading Researcher）。他的研究兴趣主要集中在发展各种材料在毫米波和太赫兹范围的介质损耗理论。B. M. Garin作为主要负责人主持了多项国际科学基金（如USA基金，1993，1994，欧盟INTAS基金，2002-2004），俄罗斯基础研究基金（如RFBR，1996，2007-2008，2010，2011-2012），俄罗斯科学与技术部基金（1996-1999）等。此外，他还是由俄罗斯基础研究基金和中国国家自然科学基金联合支持的多个项目的俄罗斯方面的项目负责人。B. M. Garin获得“苏联发明者”称号（1980）和俄罗斯纪念莫斯科八百五十周年荣誉勋章（1997），并多次获得A. S. Popov's科学技术学会的奖励（1985，1988，1989等）。