诺奖得主中村修二访问基础院商谈产学研合作电子科技大学成电新闻网

分享到微信 ×

打开微信“扫一扫”
即可将网页分享至朋友圈

诺奖得主中村修二访问基础院商谈产学研合作

文：基础院图：基础院来源：基础与前沿研究院时间：2018-05-07 4471

　　5月3日，我校名誉教授、2014年度诺贝尔物理学奖获得者、美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二到基础与前沿研究院交流访问，双方就合作开展Micro LED产业化项目的可行性进行了座谈。

　　成都高新区科技与新经济发展局副局长于洋、协同创新处处长曾轲，成都高新区电子信息产业发展局新型显示处处长周彬，基础院院长王志明，院党总支书记饶渐升，张妍宁、牛晓滨、李严波教授等参与交流。

　　王志明对中村修二再次来校访问表示热烈欢迎。于洋介绍了高新区对产学研项目的各类支持政策，以及高新区在新一代显示技术领域已有的产业化成果。他表示，非常欢迎中村修二教授与电子科大和高新区开展合作，推进Micro LED在成都的科研和产业化工作，高新区科新局将协助项目团队与高新区已有的新一代显示技术领域的企业进行对接，进一步完善项目的产学研合作机制，并根据高新区相关政策对项目提供保障和支持。

　　中村修二表示，Micro LED有望成为继OLED之后推动显示质量提升、能耗降低的下一代显示技术，成都市布局Micro LED产学研项目具有很强的前瞻性，很乐意进一步与电子科大探讨在Micro LED技术领域开展合作的可行性，并切实推进相关产业化工作。