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近期，电子学院徐开凯教授以通讯作者和第一作者发表在电子工程领域国际著名期刊《IEEE Sensors Journal》的论文“Integrated Silicon Directly Modulated Light Source Using p-Well in Standard CMOS Technology”（2016, vol. 16, iss. 16, pp. 6184-6191）论文入选ESI“热点论文”（Hot paper），该文同时也入选TOP1%高被引论文。电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室是该论文的唯一署名单位，该论文入选的学科类别是“Engineering, Electrical & Electronic; Instruments & Instrumentation; Physics, Applied”。
硅基MOS发光器件（Si-LED）是硅基单片光电集成中光源的首选，但是存在电光信号调制、发光弱等关键问题。该论文围绕这些关键问题，解决了三个技术难点：（1）提出MOS型电光调制结构，建立了硅基电光调制模型；（2）提出MOS栅控硅发光新器件，解决了发光弱的问题；（3）提出Si-LED与硅基光波导集成，解决了与硅IC兼容的难题。研究过程中，先后有来自东南大学国家ASIC研究中心的孙伟锋、刘斯扬，重庆大学新型微纳器件与系统技术国家重点学科实验室的温志渝、刘海涛，中国电子科技集团有限公司模拟集成电路国家重点实验室的张正元、张正平以及电子科技大学的于奇、赵建明等多位教授参与项目相关工作，项目研究组也先后发表10余篇IEEE会议和期刊论文，电子科技大学均为第一单位或唯一单位。相关成果得到了国际上多名院士、IEEE Life Fellow、IEEE/OSA/SPIE会士的充分认可。
ESI热点论文是指近2年内发表的论文且在近2个月内被引次数排在相应学科领域全球前1‰以内；ESI高被引论文是指近10年内发表的论文且被引次数排在相应学科领域全球前1%以内。ESI已成为当今世界范围内普遍用以评价高校、学术机构、国家/地区国际学术水平及影响力的重要指标工具之一。
论文链接：https://doi.org/10.1109/JSEN.2016.2582840
编辑：李果 / 审核：李果 / 发布：陈伟
