院部新闻

　　5月28日，我校发展战略咨询委员会委员、香港大学原校长、香港城市大学原校长、中国科学院院士郑耀宗教授到电子科学与工程学院访问交流，并做客电子学院“我和导师有个约”，与学院学生代表分享香港电子信息学科和产业发展历程、介绍成长成才的经验。电子科学与学院樊勇院长、李雪梅书记参加交流。

　　樊勇代表电子学院欢迎郑院士莅临指导并介绍了电子学院的基本情况和成立一年多以来所取得成绩，感谢郑院士在学院发展中给予的支持和帮助，希望院士今后在学科建设、人才培养、科学研究和青年教师成长等方面多给学院建议和帮助。

　　郑耀宗院士表示，今后愿意多来电子科技大学，帮助学校提升集成电路领域的学科实力和国际影响力，在人才培养和科学研究上促成更多的国际合作。

　　在与学生交流时，郑院士从自己的成长历程谈起，指出奋斗的重要性。在大学直到博士时期，他选择了半导体器件、晶体管研究，也是一直以此为人生目标，希望能在某个领域专注、钻研，做出自己的贡献。当20世纪七十年代他博士毕业从加拿大返港探亲时，发现电子信息产业在香港正如火如荼地发展，从此下定决心，要为香港、为中国的电子信息领域做出自己的贡献。他也鼓励在场的同学去世界不同的地方学习交流，在不同的思维碰撞中，可以得到新的收获。

　　在提问交流环节，同学们就香港的微电子学科环境，香港大学、香港科技大学等著名高校的发展趋势与潜力，人生面临重大抉择时的权衡等问题与郑耀宗院士互动。在场同学表示，郑院士对于香港的发展、电子信息科学的发展有深刻的体会和独到的见解，讲座拓展了大家的思维，有助于大家树立远大的志向、确定成长目标。

　　相关链接：

　　郑耀宗，我国著名微电子学专家。原籍广东中山，生于香港。曾任香港城市大学校长、香港大学校长、教授。长期以来对金属－氧化硅－硅（MOS）系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。发明了掺氯化氢硅氧化技术，解决了当时MOS器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题，使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率大大提高。他在国际上首先提出MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，在MOS集成电路进入深亚微米阶段后，这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素，这是对MOS器件物理的一大发展。他是较早开展氮化硅技术的研究者之一，在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。1999年当选为中国科学院院士。2016年，郑耀宗院士受聘为我校发展战略咨询委员会委员，任我校特聘讲席教授。