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　　近日，电子科技大学电子科学与工程学院（示范性微电子学院）功率集成技术实验室（PITEL）博士生袁章亦安受微电子器件领域顶级会议IEEE International Electron Devices Meeting （IEDM）程序委员会主席Tibor Grasser邀请，在IEDM 2020 T-ED Special Issue上发表题为“Improved Model on Buried-Oxide Damage Induced by Total-Ionizing-Dose Effect for HV SOI LDMOS”的论文，并获全额资助，以Open Access形式发表。博士生袁章亦安为论文第一作者，乔明教授和张波教授为论文共同通讯作者。IEEE Transactions on Electron Devices（IEEE T-ED）是电子器件领域的权威期刊，发表在微电子器件领域的理论、建模、设计和可靠性等方面做出重要贡献的原创文章。

　　此前，作者在IEDM 2020上发表会议论文并做口头报告，由于在学生论文中评分位居前列，会议论文的扩展版本受邀发表在电子器件领域权威期刊IEEE T-ED的Special issue（Extended Versions of Outstanding Student Papers Presented at IEDM 2020）上。该部分收录了17篇发表在IEDM上的优秀学生论文扩展版本，来自普渡大学、加州大学、弗吉尼亚理工大学、东京大学、鲁汶大学、欧洲微电子研究中心IMEC等知名高校及机构。其中，来自中国（含港澳台）、以第一完成单位发表的论文共3篇，包括中科院微电子所、电子科技大学和台湾大学。

　　在此前的会议论文中，作者提出了一种改进的总剂量效应模型并与提出的抗辐射加固（>500krad(Si)）高压SOI LDMOS的实验结果准确拟合；该模型可应用于TCAD仿真软件中，用以辅助指导抗辐射器件的设计工作。在扩展版本中，作者进一步详细讨论了抗辐射加固高压SOI LDMOS中的器件级加固手段（与工艺加固技术兼容），以及常态特性与抗辐射特性在器件设计中的折衷关系，旨在为空间应用的高压集成电路中的核心高压SOI LDMOS器件提供抗辐射加固的理论指导。

　　袁章亦安是功率集成技术实验室（PITEL）博士生，研究方向为可集成功率器件及器件可靠性，导师为乔明教授。硕博期间在领域内权威期刊IEEE Electron Device Letters和IEEE Transaction on Electron devices等发表期刊论文8篇，在领域内一流会议IEDM、ISPSD、RADECS等共发表会议论文8篇。

　　电子科技大学功率集成技术实验室（PITEL）隶属于电子科学与工程学院，为四川省功率半导体技术工程研究中心，是电子薄膜与集成器件国家重点实验室和电子科技大学集成电路研究中心的重要组成部分。实验室瞄准国际一流，致力于功率半导体器件和集成技术研究，研究内容涵盖硅基和宽禁带功率半导体器件、高低压工艺集成技术、电源管理集成电路与系统、模拟及数模混合集成电路设计、面向系统芯片的低功耗集成电路设计。

　　论文链接：https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=9314024