科研学术

　　近日，电子科技大学功率集成技术实验室（PITeL）在电子器件领域旗舰期刊《IEEE Electron Device Letters》2022年第7期上，同期发表了题为“Novel High-Tolerance Termination with Resistive Field Plate for 600 V Super-Junction Vertical Double-Diffused MOSFET”和“A Gradient Doped Integrated JFET With Improved Current Capability for HV Start-Up Circuit”的两篇研究论文，在同期“Solid-State Power and High-Voltage Devices”领域刊出的三篇文章中，前两篇均为我校同一团队研究工作。博士生王睿迪和博士生袁章亦安分别为论文第一作者，乔明教授为论文通讯作者，张波教授为共同作者，电子科技大学为论文第一署名单位。

　　超结（Super-Junction）技术被誉为功率MOS器件发展的里程碑，具有高耐压、低比导通电阻等优点，显著提高了功率处理能效，是目前高压功率器件应用最为广泛的技术之一。这次发表的第一篇论文提出一种终端结构，通过独特的折叠型场板，有效解决先进小尺寸超结器件终端的脆弱电荷平衡，部分结构非平衡电荷容差提升五倍以上，实现超结结构设计窗口的全域统一。

　　高压结型场效应晶体管（HV-JFET）在电源IC的启动电路中被广泛应用。受限于空间电荷调制效应，传统结构难以兼顾宽安全工作区与强电流能力。这次发表的第二篇论文基于与合作单位共同开发的高压BCD工艺平台，提出了一种新型可集成高压结型场效应晶体管结构，在保证宽安全工作区的同时，提升了21.6%电流能力，可用于800V高压场景。

　　《IEEE Electron Device Letters》影响因子为4.816，是电子器件领域顶级期刊，也是电气和电子工程师协会（IEEE）旗下电子器件分会（Electron Devices Society）的第一旗舰期刊。

　　功率半导体是电子科技大学集成电路领域的特色学科方向，也是电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室的三大主要学术研究方向之一，为电子科技大学集成电路研究中心的重要组成部分。电子科技大学功率集成技术实验室在《IEEE Electron Device Letters》的“Solid-State Power and High-Voltage Devices”领域同期发表两篇文章，再一次彰显了学校在功率半导体领域的研究实力。