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　　近日，在物理学院介观物理与光电探测课题组徐浩研究员的指导下，我校格拉斯哥学院2020级微电子科学与工程专业本科生李雨晗（第一作者）在国际权威的物理类Top期刊 Applied Physics Letters 发表封面文章，并作为精选论文（Featured Article）在期刊官网首页重点展示，论文标题为“High external quantum efficiency monolayer MoS2(1−x)Se2x phototransistor with alloying-induced near-infrared absorption”。物理学院徐浩研究员、周柳江教授为共同通讯作者，电子科技大学为第一作者单位。

　　得益于出色的电学、光学、力学等属性，二维过渡族金属硫化物（TMDs）家族的MoS2已经引起越来越多的关注，并作为新一代光电子信息材料在硅光集成、激光雷达、智慧感知、柔性电子等前沿领域崭露头角。单层的MoS2具有直接带隙（1.85 eV），但其本征光学吸收仅限于可见光区域，极大限制了其在近红外光探测方面的诸多应用。本研究采用高效便捷的化学溶液沉积方法在Si/SiO2衬底上制备了高质量的三元单层MoS2(1-x)Se2x纳米片，并基于此制造了高性能的近红外光电晶体管。基于能带工程策略，该工作通过硒（Se）的少量掺杂引入带间吸收，实现了单层MoS2的光吸收从可见光延伸到近红外区域，成功调控了单层MoS2的光学性质，并确定了MoS2（0.9）Se2（0.1）的最佳掺杂比例。

　　器件性能方面，单层MoS2(1-x)Se2x光探测器在780nm（约1.59 eV，该波长是本征单层MoS2的盲区）近红外光源照射下，输出了75.38 A/W的光电响应度，约为1012 Jones的光探测率，以及高达11230%的外量子效率。密度泛函理论（DFT）计算系统揭示了器件工作的内在物理机制。近红外光吸收主要源于硫空位（Vs）之间的价态能级状态（从+1到0之间的带间能级状态），因为它提供了一个距离导带底1.58 eV的带间能级。此外，硒的合金化能够有效抑制由Vs形成的深能级缺陷，从而进一步提升了器件性能。本工作呈现了基于三元单层MoS2(1-x)Se2x的高性能近红外探测器，为拓展单层MoS2光吸收至红外波段、并实现高效率光电转换提供了切实可行的方案和明确的工作机理。

　　李雨晗，格拉斯哥学院2020级本科生，微电子科学与工程专业，电子科技大学栋梁工程“立人班”成员，本科期间多次获得校优秀学生奖学金，格拉斯哥学院学业奖学金等，累计7万余元。曾获得第八届中国国际“互联网+”大学生创新创业大赛国家级银奖，“挑战杯”全国大学生课外学术科技作品竞赛省级银奖。

　　徐浩，研究员、博导，入选电子科技大学百人计划，长期致力于低维度半导体物理及其光电探测与传感研究，发表30余篇SCI论文，出版英文专著1部，主持承担多项国家及省部级科研项目、教研项目。先后指导学生参加国际级、国家级、省级竞赛和创新创业比赛累计获奖30余项。

　　周柳江，教授、博导，国家青年人才，长期致力于先进量子材料与量子作用等领域的研究，主持了国家海外引进杰出人才、国家自然科学基金、国防重大攻关、四川省科技厅等多个项目，总经费超过千万。在Nat. Commun., Nano Lett., Adv. Mat.等SCI期刊上发表120余篇文章，他引5411次，H-index为41。

　　论文链接：https://doi.org/10.1063/5.0165117