中国电科研究员级高级工程师孔月婵到校分享氮化镓基异质结材料、器件及应用电子科技大学成电新闻网

分享到微信 ×

打开微信“扫一扫”
即可将网页分享至朋友圈

中国电科研究员级高级工程师孔月婵到校分享氮化镓基异质结材料、器件及应用

文：骆军苏图：张赵阳来源：软件学院时间：2024-11-26 463

11月22日，由学校研究生院、中国电科研究生院联合主办，软件学院承办的第十五期“成电·电科大讲堂”系列讲座暨研究生卓越发展引航讲坛在沙河校区举行。中国电子科技集团公司第五十五研究所全国重点实验室副主任、研究员孔月婵受邀作“氮化镓基异质结材料、器件及应用”的专题报告。

2D5703AD2A248F5AE41A075BDE7_7E3006AF_1EE

孔月婵为同学们详细介绍了第三代半导体技术发展历程及现状，阐述第三代半导体材料的基本性质及战略意义，表示第三代半导体技术是以碳化硅、氮化镓等材料为代表的新兴半导体技术，也是全球高技术竞争的关键领域之一。氮化镓作为第三代半导体材料的代表，在航空航天、通信及汽车电子和消费电子等领域都有广泛的应用前景，是半导体行业的重要发展方向。随后，孔月婵从氮化镓材料的基本性质出发，引入氮化镓基材料特有的极化效应，分析氮化镓基材料这一特殊的物理性质在器件设计及制造中的影响及挑战，并就氮化镓异质结构材料外延生长技术的原理、应用与发展趋势进行了深入探讨。最后，孔月婵对氮化镓基功率电子器件的结构、制备工艺及具体应用进行了全面介绍，并结合自身研究与实战经验，对氮化镓基射频电子器件技术及其发展趋势进行了深入分析。

在互动提问环节，同学们同孔月婵积极互动，并就石墨烯等新型材料的融合应用、异质集成技术在射频前端中的应用等问题进行交流。此次讲座不仅使同学们了解了氮化镓材料的基本性质，让大家对氮化镓基异质材料的器件结构以及应用发展等有了新的理解和认识，也启发同学们进一步思考钻研前沿技术在工程化应用中产生的亟待解决的问题，为推动科技创新贡献新生代力量。