物理学院朱慧慧教授入选2025年度《麻省理工科技评论》亚太区 “35 岁以下科技创新 35 人” 电子科技大学成电新闻网

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物理学院朱慧慧教授入选2025年度《麻省理工科技评论》亚太区 “35 岁以下科技创新 35 人”

文：物理学院图：物理学院来源：物理学院时间：2025-09-23 808

9月22日，2025年度《麻省理工科技评论》“35 岁以下科技创新 35 人”亚太区入选名单在上海重磅揭晓！物理学院朱慧慧教授入选。

朱慧慧，电子科技大学物理学院教授、博士生导师，致力于开发能与 n 型氧化物技术相媲美并无缝集成的 p 型半导体，为新一代全互补高性能电子器件奠定基础。实现 n 型与 p 型晶体管协同工作的互补电路至关重要。虽然 n 型氧化物材料已取得显著进展，但 p 型材料的发展相对滞后，成为制约行业发展的关键瓶颈。她的研究工作主要集中在锡碘基钙钛矿和非晶氧化物半导体两类材料体系，通过材料设计、制备工艺和器件物理的协同创新，实现了 p 型晶体管性能的显著突破。

在锡碘基钙钛矿研究方向，她通过阴离子工程和 A 位阳离子调控策略，有效抑制了锡钙钛矿中的离子迁移现象，提高了器件的操作稳定性。她开发的基于化学溶液法的界面组分工程技术，实现了空穴迁移率超过 1750px²/V·s 的 p 型晶体管性能，这一指标达到了商用低温多晶硅的水平。

在非晶氧化物半导体领域，其所在团队取得了重大突破。通过将碲元素引入非晶氧化碲基质并采用硒合金化策略，首次制备出高性能 p 型非晶氧化物半导体。该材料在非晶态下表现出高达 375px²/V·s 的空穴迁移率，同时具备良好的均匀性和稳定性，解决了氧化物电子学中长期存在的 p 型材料缺失问题。